NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 600mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P2N2222A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Collectorstroom: 6.2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 75. Ic(puls): 15A. Let op: complementaire transistor (paar) PBSS4041PX. Markering op de kast: 6F. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 220 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 35mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6F. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand. Minimale hFE-versterking: 80. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: *08. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V. Spec info: zeefdruk/SMD-code P08/T08

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NPN-schakeltransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 15V. Aantal per doos: 1. Spec info: 130.41594. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 500 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 15V. Spec info: zeefdruk/SMD-code P1J, T1J. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 0.8A. Markering op de kast: p2X, t2X, W2X. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.75V. Vebo: 6V. Spec info: zeefdruk/SMD-code P2X, T2X, W2X, complementaire transistor (paar) PMBT4401. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Kosten): 19pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Kosten): 75pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-363, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-363. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: D*2. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 180 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: paar NPN- en PNP-transistors

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 100pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: DTR.. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/CMS-code XJ

NPN-transistor, PCB-solderen, ITO-218, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-218. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: S2000N. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1.5 kV. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1500V, 8A, TO-247-T. Collector-emitterspanning VCEO: 1500V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-247-T. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 50W. Ingebouwde diode: ja

NPN-transistor, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247F. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Kosten): 9pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, 160V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Kosten): 35pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L, HI-FI Audio. Let op: hFE 5000...20000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) SAP15P. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, 160V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Kosten): 35pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L, HI-FI Audio. Let op: hFE 5000...20000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) SAP15P. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, 400V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 8pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. C(inch): 11pF. Kosten): 1.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Minimale hFE-versterking: 25. Markering op de kast: s1D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Functie: hoogspanningsversterker, SMD-versie van MPSA42. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) SMBTA92. Spec info: zeefdruk/SMD-code S1D. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 (Ammo-Pack). Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Kosten): 9pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 120. Markering op de kast: S8050 C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Kosten): 28pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Klasse B push-pull-bediening. Maximale hFE-versterking: 135. Minimale hFE-versterking: 96. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.16V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: uitstekende hFE-lineariteit. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 270 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.45W. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 8A. Markering op de kast: 13005A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 16. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: 13007A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-weerstand: 50. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: ST13009L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Functie: hFE 15...28. Aantal per doos: 1. Spec info: ST13009L. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor. Kosten): 122pF. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS