NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, 400V, 1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 400V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 1W

NPN-transistor, 50V, 3A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.75W. Maximale frequentie: 90MHz

NPN-transistor, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Collectorstroom: 18A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PMLH. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Hoge snelheid.. Maximale hFE-versterking: 15. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 35A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Tf(max): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Vbe(sat)1.5V. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Spec info: met polarisatieweerstand Rbe. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Kleuren-tv Horizontale afbuiging Uitgangstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Spec info: met polarisatieweerstand Rbe. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.3us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Kleuren-tv Horizontale afbuiging Uitgangstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V

NPN-transistor, 10A, 800V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Type transistor: NPN. Vcbo: 1600V

NPN-transistor, EMT6. Behuizing (volgens datablad): EMT6. Aantal per doos: 2. Let op: zeefdruk/SMD-code H21. Markering op de kast: H21. Aantal aansluitingen: 6. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: *SMD SO6*

NPN-transistor, EMT6. Behuizing (volgens datablad): EMT6. Aantal per doos: 2. Let op: zeefdruk/SMD-code H9C. Markering op de kast: H9C. Aantal aansluitingen: 6. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: *SMD SO6*

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: INFI->PANAS. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Kosten): 120pF. CE-diode: NINCS. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: unijunction-transistor UJT, hi-beta, lo-sat. Maximale hFE-versterking: 1200. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX788. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX550. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX551. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Collectorstroom: 300mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Kosten): 5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 240 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Kosten): 30pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 175 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,9V. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX753. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX790. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat)0,92V. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.58W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V