NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: algemeen gebruik. Markering op de kast: C3198. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 150mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 70. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: vervanging KTA1267. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Hi-Beta, lo-sat.. Minimale hFE-versterking: 500. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: 9mm. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Kosten): 250pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 40. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1294. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 17A, 230V. Collectorstroom: 17A. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1295

NPN-transistor, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: NF-E HI-FI. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1301

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: NF-E HI-FI. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1302. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Collectorstroom: 14A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1303

NPN-transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220FP. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1306

NPN-transistor, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Ic(puls): 8A. Markering op de kast: C3303. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Ic(puls): 8A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V. Aantal per doos: 1. Functie: NF/SL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.7A, 180V. Collectorstroom: 0.7A. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Hoogspanningsschakeltoepassingen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.7W. Type transistor: NPN. Let op: hFE 140...280. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1319

NPN-transistor, 5A, 500V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 250 MHz. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1360

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Functie: hFE 15...30. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Functie: hFE 20...40. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.3us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): SC-51 ( MP ). Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Kosten): 1.7pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 0.2A. Markering op de kast: C3467. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: 9 mm hoogte. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Functie: Video, Hi-def. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V/100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Kosten): 2.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 0.2A. Markering op de kast: C3503-D. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Audiospanningsversterker, CRT-definitie, video-uitgang. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1381. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS