NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C1881. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 30W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: Video-uitvoer. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 30. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig verspreid . Type transistor: NPN. Vcbo: 250V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, 200V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, 35V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 470 MHz. Functie: UHF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.6A, TO-220, 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 175 MHz. Functie: VHF-Tr/E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 0.1A, 35V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 550 MHz. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: S-L. Minimale hFE-versterking: 30. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen, D18/C, 700mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/32V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W

NPN-transistor, PCB-solderen, E-33, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: E-33. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA940. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 27 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 900mW. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA966. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA968. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Laag geluidsniveau, audioversterker. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 350. Markering op de kast: C2240BL. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA970BL. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Markering op de kast: C224GR. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA970GR. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 35. Ic(puls): 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 300V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: VID-L. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-236, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100MHz. Functie: Hoogspanningsschakeling, AF-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 3A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1011. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W