NPN-transistor, 0.5A, 200V - 2SC1962

NPN-transistor, 0.5A, 250V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Functie: VID-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-32, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-32. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-126. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE340. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Let op: kunststof behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 0.5A, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Functie: VID-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN