NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, TO-92, 200mA, PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Markering van de fabrikant: 2N3904. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. C(inch): 30pF. Kosten): 6.5pF. CE-diode: NINCS. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 0.9A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 30 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. C(inch): 10pF. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: HI-FI geluidsarme voorversterker. Maximale hFE-versterking: 900. Minimale hFE-versterking: 300. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 35V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Collectorstroom: 0.4A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1.2GHz. Maximale hFE-versterking: 210. Minimale hFE-versterking: 70. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HI-FI geluidsarme voorversterker. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 4.5V

NPN-transistor, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. RoHS: ja. BE-diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 80. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 600mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5551. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Kosten): 500pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 50A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N5884. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 25mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N5886G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 12A, 100V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Minimale hFE-versterking: 750. Let op: b>750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, M135, 36V. Collectorstroom: 5A. Behuizing (volgens datablad): M135. Collector-emitterspanning Vceo: 36V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 175 MHz. Functie: VHF-O Tr. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12W. Spec info: SD1012. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Kosten): 400pF. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: hFE 750...180000. Maximale hFE-versterking: 18000. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 40A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6287. Gewicht: 11.8g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Functie: Versterker- en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6491. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 90V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6491. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 15mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 15mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N6488G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.075W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 20. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6520. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: NPN epitaxiale siliciumtransistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.6A, 50V. Collectorstroom: 0.6A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-202, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-202. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 70V/45V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, 0.1A, 210V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 210V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7.9W. Spec info: 8-726-720-00. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 700mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V/40V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V/60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-solderen, D35/B, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.5A, 50V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Let op: hFE 100..200. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA673A. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, D35/B, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W