NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 30A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ802G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J44H11. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 85 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J44H11. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 85 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Spec info: Hoge snelheidsschakelen. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: bipolaire vermogenstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Spec info: Hoge snelheidsschakelen. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: bipolaire vermogenstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE13007G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 12A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE13009G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15031. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15031G. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 250V, 8A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 250V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE15032G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 30 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15033. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15035G. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13 MHz. Functie: Schakelmodus Voedingstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 34. Minimale hFE-versterking: 12:1. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE18004G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 13 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, 450V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: SMPS. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spec info: SWITCHMODE. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. C(inch): 1750pF. Kosten): 100pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13MHz. Functie: Schakelmodus Voedingstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 34. Ic(puls): 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 1000V, 8A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 1000V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Toepassingen: schakel. Vermogen: 120W

NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65MHz. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 45. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE210. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 4mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 4mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE243G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 40 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.015W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE3055T. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: voor hifi-audioversterkers en schakelregelaars. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE2955T. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-32, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-32. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-126. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE340. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126 ( TO-225 ). Collector-emitterspanning Vceo: 500V. BE-diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L, VID.. Equivalenten: KSE340. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Let op: kunststof behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V