NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 150mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Pinout: 1. C(inch): 1.5pF. Kosten): 11pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA733. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 150mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Pinout: 1. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA733. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 150. Markering op de kast: D2012-G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 5A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 20pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Horizontale afbuiging van hoogspanningskleurendisplay . Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us

NPN-transistor, 5A, 100V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: NPN. Spec info: 12149-401-070

NPN-transistor, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: SD882-Y

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 180pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Hoogspanningsschakelmodus . Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 24A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 4A, 60V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: b>750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN. Spec info: 0503-000001

NPN-transistor, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 600mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SW. Markering op de kast: R1002. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 22k Ohms. BE-weerstand: 22k Ohms. Kosten): 100pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: SW. Markering op de kast: R1003. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SW. Markering op de kast: R1007. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 40V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Let op: 0.3W. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, TO-92, TO-92. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Kosten): 0.8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 20mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 800 MHz. Functie: FM-V/M/O. Maximale hFE-versterking: 198. Minimale hFE-versterking: 40. Markering op de kast: 15.8k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 3A, 80V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: hFE 20...90. Let op: T32. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Kosten): 0.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 11 MHz. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 210V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 1pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoogspanningstransistor voor standaarddefinitie CRT. Maximale hFE-versterking: 8.5. Minimale hFE-versterking: 5.5. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 0.55pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoogspanningstransistor voor standaarddefinitie CRT. Maximale hFE-versterking: 7.5. Minimale hFE-versterking: 5.5. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): TO-218-FX. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Kosten): 4pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: FAST-SWITCH. Maximale hFE-versterking: 7. Minimale hFE-versterking: 4.5. Ic(puls): 18A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 58W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST-SWITCH. Maximale hFE-versterking: 18. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 16A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 58W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-78. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-78. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Aantal per doos: 2. Vermogen: 0.46W