NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Horizontale afbuiging van hoogspanningskleurendisplay . Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: J6810. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: zeefdruk . Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: J6810A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf (type): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Hoge V-kleurendisplay Hor Defl (met demperdiode) . Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: J6810D. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: zeefdruk J6810. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 12A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 12A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Horizontale afbuiging van hoogspanningskleurendisplay . Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: J6812. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gezeefdrukt J6812. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Collectorstroom: 17A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Markering op de kast: J4315O. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) FJL4215-O

NPN-transistor, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: 19 inch-monitor. Spec info: VEBO 6V

NPN-transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Horizontale afbuiging van hoogspanningskleurendisplay . Maximale hFE-versterking: 8.5. Minimale hFE-versterking: 5.5. Ic(puls): 30A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 25

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: schakelcircuits. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 300mA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: J13007. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 28. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: J13007-1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 39. Minimale hFE-versterking: 26. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: J13007-2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 180pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 17. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: J13009. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 180pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 28. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: J13009-2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 619. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 165 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 5000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) FP1016

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 0.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collectorstroom Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT458. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT849. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor. Aantal per doos: 1. CE-diode: ja

NPN-transistor, 24A, ISOWATT218FX, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 24A. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA hi-res (F). Ic(puls): 36A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 10V. Aantal per doos: 1. Spec info: 0.17...0.31us

NPN-transistor. Aantal per doos: 1. Functie: HA, hi-def. Let op: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN-transistor. Aantal per doos: 1. Functie: HA, hi-def. Let op: 0.2. Spec info: MONITOR. CE-diode: ja

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 47. Minimale hFE-versterking: 29. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V. Spec info: Epitaxiale Planaire Transistor

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126ML. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 160...320. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) HSB1109

NPN-transistor, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: TO-5. Behuizing (volgens datablad): TO-5. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 35...125. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: Lo-Pwr BJT

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Type transistor: NPN. Spec info: TO-92M