NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 14A. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 1.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 64kHz. Functie: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Productiedatum: 2014/17. Maximale hFE-versterking: 8.5. Minimale hFE-versterking: 6. Ic(puls): 21A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Kosten): 2.5pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 175W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.6us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Collectorstroom: 50A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 4pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 25. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Collectorstroom: 60A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Kosten): 7pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 75...1000. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Collectorstroom: 30A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 4pF. Kosten): TO-204AA. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): +200°C. Let op: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Let op: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11015. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Collectorstroom: 50A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximale hFE-versterking: 18000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11033

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 50A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ11032G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 20A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15003G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 140V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15004

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-weerstand: 70. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Spec info: Motorola. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-weerstand: 70. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 10. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15016. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15015G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 6 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15023. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 350V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15023. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15025. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15024G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ21194G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Kosten): 2pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ21195. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Collectorstroom: 30A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. C(inch): 30pF. Kosten): 8.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 30A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ802G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J44H11. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 85 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J44H11. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 85 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): DPAK CASE 369C. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 85 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: 44H11G. Equivalenten: MJD44H11G, MJD44H11J. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Tf (type): 140 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJD45H11T4G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): DPAK CASE 369C. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 85 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: 45H11G. Equivalenten: MJD45H11G, MJD45H11J. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Tf (type): 140 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJD45H11T4G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 80pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: bipolaire vermogenstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS