NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 3A, 80V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: hFE 20...90. Let op: T32. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Kosten): 0.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 11 MHz. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 210V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoogspanningstransistor voor standaarddefinitie CRT. Maximale hFE-versterking: 8.5. Minimale hFE-versterking: 5.5. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. BE-diode: NINCS. Kosten): 0.55pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoogspanningstransistor voor standaarddefinitie CRT. Maximale hFE-versterking: 7.5. Minimale hFE-versterking: 5.5. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): TO-218-FX. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: FAST-SWITCH. Maximale hFE-versterking: 7. Minimale hFE-versterking: 4.5. Ic(puls): 18A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 58W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST-SWITCH. Maximale hFE-versterking: 18. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 58W. RoHS: ja. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-78. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-78. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Aantal per doos: 2. Vermogen: 0.46W

NPN-transistor, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Collectorstroom: 14A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 64kHz. Functie: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Productiedatum: 2014/17. Maximale hFE-versterking: 8.5. Minimale hFE-versterking: 6. Ic(puls): 21A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.6us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 8V

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Collectorstroom: 50A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 25. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Collectorstroom: 60A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Kosten): 7pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 75...1000. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, TO3, 120V. Behuizing: TO3. Collector-emitterspanning VCEO: 120V. Uitvoering: Darlington-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 200W. Collector-base spanning VCBO: 120V. Montagetype: Chassisbevestiging. Bandbreedte MHz: 4MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 200. Stroom Max 1: 30A. Serie: MJ11016

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 30A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ11016G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Collectorstroom: 50A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximale hFE-versterking: 18000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11033. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 50A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ11032G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V, 20A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Collectorstroom: 20A. RoHS: ja. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15004. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 25

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 70. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Spec info: Motorola. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 70. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 10. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15016. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15023. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 350V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15023. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15025. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15024G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ21194G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ21195. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Collectorstroom: 30A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. C(inch): 30pF. Kosten): 8.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN