NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Kosten): 3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: bipolaire vermogenstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Collector-emitterspanning VCEO: 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220AB. Markering van de fabrikant: MJE13007G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 80W. Maximale frequentie: 14 MHz. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15031. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 150V. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15031G

NPN-transistor, 250V, 8A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 250V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz

NPN-transistor, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Collector-emitterspanning VCEO: 250V. Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Markering van de fabrikant: MJE15032G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 30 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15033

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15035G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13 MHz. Functie: Schakelmodus Voedingstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 34. Minimale hFE-versterking: 12:1. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE18004G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 13 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 6A, 450V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 14 MHz. Functie: SMPS. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Spec info: SWITCHMODE. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. C(inch): 1750pF. Kosten): 100pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13MHz. Functie: Schakelmodus Voedingstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 34. Ic(puls): 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1000V, 8A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 1000V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 120W

NPN-transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 5A. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 80pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65MHz. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 45. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE210. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 4A. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Weerstand B: NPN-vermogenstransistor. BE-weerstand: 100V. C(inch): 4A. Kosten): 15W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Functie: Schakelen op hoge snelheid, Audio. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE253. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE3055T. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE2955T

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: voor hifi-audioversterkers en schakelregelaars. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE2955T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-32. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-126. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE340. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 240. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 ( TO-225 ), 500V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 0.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-126 ( TO-225 ). Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L, VID.. Equivalenten: KSE340. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Let op: kunststof behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE340G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-weerstand: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 50. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(min): 2us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 400V, 8A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 100W

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 1000pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE800G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor