NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2L. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Markering op de kast: 2 L. Equivalenten: MMBT5401LT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Spec info: zeefdruk/SMD-code (2Lx datumcode). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 60. Markering op de kast: G1. Equivalenten: MMBT5551LT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code G1 (3S Fairchild). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 600mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G1. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1GM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1GM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: Hoogspanningsversterker transistor (SMD -versie van de MPSA42 -transistor). Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Let op: 1D. Markering op de kast: 1D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 240mW. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MMBTA92. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1D. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 5mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3EM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 650 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 350. Minimale hFE-versterking: 200. Markering op de kast: Y1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A8A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A8E. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A8K. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.246W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: paar complementaire transistoren. Minimale hFE-versterking: 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP & NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA42. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 10. Kosten): 300pF. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100MHz. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA06. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, 30 v. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 10000. Minimale hFE-versterking: 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Technologie: Darlington-transistor. Tf(min): 125 MHz. Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 125 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 10000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Darlington-transistor. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 45V, 0.2A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 45V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Maximale frequentie: 100 MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 1000. Toepassingen: Audio

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 (ammo pak). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Equivalenten: KSP42. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MPSA92. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Collectorstroom: 0.3A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 (ammo pak). Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Kosten): 7pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 40. Equivalenten: KSP44, CMPSA44. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 400mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 5mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSH10. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 650 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hFE 25...40. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. FT: 100 MHz. Functie: High hFE. Maximale hFE-versterking: 150000. Minimale hFE-versterking: 25000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 12V

NPN-transistor, 28V. Collector-emitterspanning VCEO: 28V. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Toepassingen: RF-POWER