NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G

NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G. NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65MHz. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 45. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE210. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Origineel product van fabrikant ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/07/2025, 22:25.