N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, Ander, Ander, 600V. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 30A. Afmetingen: 107.5x45x17mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 700W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 250 ns. Td(aan): 50 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 24. Spec info: 7x IGBT. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Aan-weerstand Rds Aan: 15 Ohms. Spanning Vds(max): 50V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Let op: 5ns...20ns. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Technologie: D-MOS Log.L

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSN20. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 25pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100nA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 250pF. Kosten): 88pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 24A. ID s (min): 10nA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21 ns. Td(aan): 6 ns. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 600V, 0.12A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP125. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 130pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 600V, 0.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP135. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 146pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 60V, 1.8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP295. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 368pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 200V, 0.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP297. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 160 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 240V, 0.35A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP89. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 140pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 150mA. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 23pF. Kosten): 6pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeefdruk/SMD-code SA. Id(imp): 600mA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: SA. Equivalenten: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100V, 0.19A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SA s . Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 20.9pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100V, 0.17A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SA. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 40pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. Idss (max): 46.4k Ohms. Aan-weerstand Rds Aan: 6 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeefdruk/SMD-code SA. Id(imp): 680mA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: SA. Equivalenten: BSS123-7-F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Veldeffecttransistor Logicaniveauverbeteringsmodus. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SA. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 20pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 600V, 0.021A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SHS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 28pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 240V, 0.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SRs. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 77pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.22A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.7 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 50V. C(inch): 27pF. Kosten): 13pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. ID s (min): 0.5uA. Let op: zeefdruk/SMD-code SS. Markering op de kast: SS. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 2.5 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Modus voor verbetering van logisch niveau. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.4 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 50V. C(inch): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID s (min): 0.5uA. Let op: zeefdruk/SMD-code SS. Markering op de kast: SS. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Gewicht: 0.008g. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Modus voor verbetering van logisch niveau. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 50V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 36ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 27pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, 250V, 0.03A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: STs. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 76pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 55V, 0.54A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 75pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.25A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.25A. Idss (max): 1000uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 240V. C(inch): 80pF. Kosten): 15pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID s (min): 100uA. Markering op de kast: SS88. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.6V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): SOT54. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID s (min): 0.01uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Very fast switching, Logic level compatible. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zeer snel schakelen. Id(imp): 0.8A. ID s (min): 0.01uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Compatibel met logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS