N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1685pF. Kosten): 210pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 55ms. Functie: Hoogfrequente schakelende voedingen. Collectorstroom: 56A. Ic(puls): 65A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 41A. Idss (max): 1000uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 4360pF. Kosten): 895pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 280 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 164A. ID s (min): 250uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 378W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: snel schakelen, lage lekkage. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 7400pF. Kosten): 1000pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 176A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 450W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Functie: snel schakelen, lage lekkage. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Functie: snel schakelen, lage lekkage. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-343, 5V, 0.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-343. Afvoerbronspanning Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: 5Fx. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 0.37V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.27W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor. Aantal per doos: 1. Let op: TU

N-kanaaltransistor. Type transistor: FET-transistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 2mA. Maximale afvoerstroom: TO-92

N-kanaaltransistor, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID s (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffecttransistor. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Poort/bronspanning (uit) max.: 3.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 25mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID s (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffecttransistor. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Poort/bronspanning (uit) max.: 7.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3.2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, AM/FM/VHF, 25V, 10mA, TO-92, 39V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): AM/FM/VHF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 25V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 39V. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BF246A. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 14.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.6V. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (max): 13mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: FET. Functie: voor VHF/UHF RF-versterkers. ID s (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 0.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (max): 18mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: FET. Functie: voor VHF/UHF RF-versterkers. ID s (min): 11mA. IGF: 10mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 0.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 6.5mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID s (min): 2mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 20*. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicium-junctie-veldeffecttransistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.2V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.4V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID s (min): 6mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 21*. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 6mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicium-junctie-veldeffecttransistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 3.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 25mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID s (min): 12mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 22*. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicium-junctie-veldeffecttransistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 7.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3.2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 18mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143. Spanning Vds(max): 18V. C(inch): 3pF. Kosten): 1.2pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: VHF- en UHF-toepassingen met 12V voedingsspanning. ID s (min): 2mA. Markering op de kast: M90. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 4mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143. Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 2.3pF. Kosten): 0.8pF. Functie: N MOSFET-transistor. ID s (min): 2mA. Markering op de kast: MH. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code MH

N-kanaaltransistor, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 15mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143. Spanning Vds(max): 12V. C(inch): 2.1pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: VHF- en UHF-toepassingen met 12V voedingsspanning. ID s (min): 5mA. Markering op de kast: MOS. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Kosten): 1.1pF. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-143B, 12V, 30mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-143B. Afvoerbronspanning Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: BF998. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2.5pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 25V, 5mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 25V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: M2. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. Idss (max): 30nA. Aan-weerstand Rds Aan: 15 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 85pF. Kosten): 20pF. Kanaaltype: N. Diode Tff(25°C): 8 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 2A. Markering op de kast: BS107. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, 200V, 250mA, TO-92, 200V, 1. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 200V. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BS107A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 60pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFET s. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.5A. Idss (max): 10nA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 24pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 1.2A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: BS170. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Veldeffecttransistor, Kleine signalen. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, 60V, 0.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BS170G. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 60pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, 60V, 0.3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BS170_D27Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 24pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C