N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 34A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUZ22. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 300 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1850pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2.6A, 2.6A, 1000V. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 2.6A. Spanning Vds(max): 1000V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. Technologie: V-MOS L. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 330pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 200V, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUZ73LH. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Spanning Vds(max): 500V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Technologie: V-MOS. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.8 Ohms. Spanning Vds(max): 400V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Technologie: V-MOS. Let op: <57/115ns. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 400V, 2.7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUZ76A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 2.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: <50/105ns. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 460pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (max): 2.1A. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Technologie: V-MOS (F). Let op: <100/220ns. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 3.2A, 3.2A, 800V. ID (T=25°C): 3.2A. Idss (max): 3.2A. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: V-MOS. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 4.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.6 Ohms. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Technologie: V-MOS. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Technologie: TO-220F. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 32A. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 200A, Ander, Ander, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 40pF. Kosten): 14pF. Kanaaltype: N. Functie: Dubbele IGBT-transistor (geïsoleerd). Collectorstroom: 200A. Ic(puls): 400A. Afmetingen: 108x62x31mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1500W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 300 ns. Td(aan): 250 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 6V. Aantal aansluitingen: 7. Spec info: Schakelen met hoog vermogen. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Kunststof behuizing van 2 mm x 2 mm, 30 v. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.024...0.042 Ohms. Behuizing: WSON6. Behuizing (volgens datablad): Kunststof behuizing van 2 mm x 2 mm. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 260pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. Aantal aansluitingen: 6. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 17W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 4.2 ns. Td(aan): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 600A, Ander, Ander, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 37pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 600A. Ic(puls): 1200A. Afmetingen: 172x89x37mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3350W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.7 ns. Td(aan): 0.21 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.8V. Aantal aansluitingen: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Functie: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30V/-30V, 6A/-4.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: C3025LS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.2V/-2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 590/631pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Componentfamilie: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10mA. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Spanning Vds(max): 200V. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(inch): 900pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Diversen: HIFI-eindversterker. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.1V. Spec info: complementaire transistor (paar) ECW20P20. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(inch): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Diversen: HIFI-eindversterker. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.15V. Spec info: complementaire transistor (paar) ECX10P20. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1148pF. Kosten): 671pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 119 ns. Td(aan): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. Behuizing: TO-220F. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.33 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Afvoerbronspanning (Vds): 650V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 11A. Vermogen: 36W. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V