N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 42V, 0.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: low-side MOSFET. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 38us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.78W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), TO-263/5, 42V, 5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: TO-263/5. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 5. Markering van de fabrikant: BTS410E2. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 125us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 85us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 45V, 1.4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BTS4141N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 150us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11. Aan-weerstand Rds Aan: 38m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-5-11. Aantal aansluitingen: 5. RoHS: ja. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 42V, 11A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK/5. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BTS432E2-SMD. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 300us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 80us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK/5. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 200us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 18V, 40A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK/7. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: S50010E. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), P-DSO-12, 40V, 2.4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: P-DSO-12. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 12:1. Markering van de fabrikant: BTS5210L. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 250us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 270us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), P-DSO-12, 40V, 3.7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: P-DSO-12. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 12:1. Markering van de fabrikant: BTS5215L. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 250us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 270us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK/7. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BTS611L1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 400us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 400us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK/5, TO-252, 38V, 7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK/5. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BTS6142D. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 600us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 600us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), P-DSO-20, 34V, 2.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: P-DSO-20. Afvoerbronspanning Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BTS721L1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 400us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 400us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 30 milliOhms, SO, PG-DSO20. Aan-weerstand Rds Aan: 30 milliOhms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): PG-DSO20. Functie: Slimme High-Side Stroomschakelaar . Uitgang: 2db N-MOS 43V 5.5A. Aantal aansluitingen: 20. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). VCC: 5...34V

N-kanaaltransistor, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (max): 13.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. Spanning Vds(max): 50V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Let op: Logisch niveau. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 20uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 750pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET SMPS. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 16A. ID s (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 10 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-404. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2230pF. Kosten): 510pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 62 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 347A. ID s (min): 0.05uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 166W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 84 ns. Td(aan): 18 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 17m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-404. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1200pF. Kosten): 290pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 217A. ID s (min): 0.05uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 118W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 70 ns. Td(aan): 15 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.064 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): SOT-78 ( TO220AB ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 440pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automobiel, stroomschakeling, 12V- en 24V-motor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 81A. ID s (min): 0.05uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): P-TO263-3-2. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1220pF. Kosten): 410pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C

N-kanaaltransistor, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. Binnendiameter (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Spanning Vds(max): 50V. RoHS: ja. C(inch): 1500pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 180 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. Binnendiameter (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 42A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Spanning Vds(max): 50V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. Idss (max): 39A. Aan-weerstand Rds Aan: 40m Ohms. Spanning Vds(max): 50V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Let op: 250/500ns. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Technologie: V-MOS S/L

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 34A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUZ22. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 300 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1850pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2.6A, 2.6A, 1000V. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 2.6A. Spanning Vds(max): 1000V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. Technologie: V-MOS L

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 330pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 44A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V