N-kanaaltransistor, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BST82

N-kanaaltransistor, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BST82. N-kanaaltransistor, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zeer snel schakelen. Id(imp): 0.8A. ID s (min): 0.01uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Compatibel met logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 14:25.