N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0047 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 6060pF. Kosten): 638pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33.5 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Low side switch in Notebook CPU core power converter. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. RoHS: ja. Spec info: Ultra-lage poortweerstand. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 51.5 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. Idss (max): 20mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0098 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1980pF. Kosten): 317pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 11.2 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: FET in SMPS, belastingschakeling. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 60A. ID s (min): 0.02mA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 27 ns. Td(aan): 5.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanaaltransistor, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (max): 20mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0039 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 3760pF. Kosten): 682pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 18 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 100A. ID s (min): 0.1mA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 34 ns. Td(aan): 9.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanaaltransistor, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 20mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0058 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2154pF. Kosten): 474pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 12 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 180A. ID s (min): 0.1mA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25.2 ns. Td(aan): 6.8 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V

N-kanaaltransistor, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO, SO-8, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 46m Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 2. Trr-diode (min.): 27.5us. Functie: MOSFET-transistor, Rds (AAN) erg laag. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 13.6m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1040pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 19 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D408. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) AOD405. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17.4 ns. Td(aan): 4.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 47m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 450pF. Kosten): 61pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 27.6 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 30A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16 ns. Td(aan): 4.2 ns. Technologie: Nieuwste Trench Power MOSFET-technologie . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 6m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 951pF. Kosten): 373pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 10.2 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 96A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Spec info: Zeer lage RDS(aan) bij 10VGS. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 18.5 ns. Td(aan): 6.25 ns. Technologie: Nieuwste Trench Power MOSFET-technologie . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V

N-kanaaltransistor, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 273pF. Kosten): 16pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 172ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 15A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 18 ns. Td(aan): 17 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.71 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 962pF. Kosten): 98pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 332ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 27A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 178W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 24 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V

N-kanaaltransistor, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.3m Ohms. Behuizing: PowerPAK SO-8. Behuizing (volgens datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 2850pF. Kosten): 258pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 19 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 170A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET) . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanaaltransistor, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9m Ohms. Behuizing: PowerPAK SO-8. Behuizing (volgens datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 3430pF. Kosten): 1327pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 22 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 340A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 33.8 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: Nieuwste Trench Power AlphaMOS-technologie . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 7.7m Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1100pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 19 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 110A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: AOY2610E. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 59.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 22 ns. Td(aan): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V

N-kanaaltransistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 25m Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 95A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 40T03 GP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 25m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 95A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 40T03 GP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 mS. Td(aan): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 25m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 95A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 40T03GS. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (max): 10.4A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snel schakelen, DC/DC-converter. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40A. Markering op de kast: 4800C G M. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET

N-kanaaltransistor, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Binnendiameter (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 48m Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 300V. C(inch): 8440pF. Kosten): 1775pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 160A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 88N30W. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 312W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Enhancement-Mode Vermogens-MOSFET . Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 1170pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, omvormers, voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 150A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 9962GH. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 27.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 8 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, DIP, DIP-8. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 2. Functie: MOS-N-FET. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Spec info: 0.050R (50m Ohms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

N-kanaaltransistor, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, omvormers, voedingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 90A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 9971GH. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220CFM. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NO. Id(imp): 80A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.050R (50m Ohms). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 2. Functie: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns. Id(imp): 28A. Markering op de kast: 9971GM. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Poort-/bronspanning Vgs: 20V

N-kanaaltransistor, 4A, 4A, SOT-89, SOT-89, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Spanning Vds(max): 20V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: td(on) 12ns. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Verbeteringsmodus MOSFET

N-kanaaltransistor, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1685pF. Kosten): 210pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 55ms. Functie: Hoogfrequente schakelende voedingen. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 56A. Ic(puls): 65A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V