N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 612 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: P11NM80. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 5200pF. Kosten): 785pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 152 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P120NF10. Pd (vermogensdissipatie, max.): 312W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 132 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 550V. C(inch): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P12NM50. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 550V. C(inch): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P12NM50FP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 120V. C(inch): 460pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 56A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P14NF12. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P14NK50ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Zenerdiode-bescherming. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.08 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 315pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P16NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 7 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden, lage poortlading. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.08 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 345pF. Kosten): 72pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Low Gate Charge. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 5100pF. Kosten): 1270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 200N4F3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: schakelen, automobieltoepassingen. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGHdv/dtCAP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: II Power Mos. Aantal per doos: 1. Let op: Low Gate Charge

N-kanaaltransistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P20NM60FD. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 192W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Lage poortcapaciteit. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1500pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P20NM60FP. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 870pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 100us. Diodedrempelspanning: 1.5V. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P24NF10. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.135 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 26NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.038 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1180pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 110us. Diodedrempelspanning: 1.3V. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 690pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P36NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 27 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Functie: trr 65ns, efficiënte dv/dt

N-kanaaltransistor, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Aantal per doos: 1. Functie: trr 65ns, efficiënte dv/dt

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 30A, 60.4k Ohms. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Behuizing (JEDEC-standaard): 60.4k Ohms. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P36NF06L. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 660pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 2.9A. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 400pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NB60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 11 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.6 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 440pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 10.4A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 3.5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 900V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMESH III

N-kanaaltransistor, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V. Behuizing: TO-220FP. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Afvoerbronspanning (Vds): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 2.4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeer hoge dv/dt-verhouding, voor schakeltoepassingen. Id(imp): 10A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja