N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Lage poortcapaciteit. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P20NM60FD. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 192W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1500pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P20NM60FP. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 870pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100us. Diodedrempelspanning: 1.5V. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING APPLICATION. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 104A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P24NF10. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. RoHS: ja. Spec info: Lage invoerlading. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.135 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 26NM60N. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Spec info: Lage invoercapaciteit en poortlading. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.038 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1180pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110us. Diodedrempelspanning: 1.3V. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 140A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. RoHS: ja. Spec info: Lage invoerlading. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 690pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: trr 65ns, efficiënte dv/dt. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P36NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 27 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.032 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: trr 65ns, efficiënte dv/dt. Id(imp): 72A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: STripFET II POWER MOSFET

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 30A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P36NF06L. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 660pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 2.9A. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 400pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 13.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NB60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 11 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.6 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 440pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 10.4A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 3.5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 900V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMESH III

N-kanaaltransistor, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.51A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeer hoge dv/dt-verhouding, voor schakeltoepassingen. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 10A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 590pF. Kosten): 63pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 12A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 4.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 16A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 16A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 500V, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P4NK50Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 310pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.76 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Id(imp): 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH

N-kanaaltransistor, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH

N-kanaaltransistor, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH

N-kanaaltransistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 3050pF. Kosten): 380pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 220A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P55NE06. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 30 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 60V, TO220. Vdss (afvoer naar bronspanning): 60V. Behuizing: TO220. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Polariteit: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 50A. Spanning: 10V. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Montagetype: THT

N-kanaaltransistor, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1700pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 220A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P55NF06L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40ms. Td(aan): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P5NK100Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1154pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C