N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 800V, 5.2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P7NK80Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1138pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Behuizing: TO-220FP. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Aan-weerstand Rds Aan: 1.8 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 800V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . Id(imp): 20.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P7NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 5.2A. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0065 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P80NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 80A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P80NF10. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 116 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 120V. C(inch): 4300pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P80NF12. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 134 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0065 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: motorbediening, audioversterker. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. Binnendiameter (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0098 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 68V. C(inch): 2550pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 392A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 80NF70. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. Binnendiameter (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 700V. C(inch): 2350pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 680 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 27A. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1320pF. Kosten): 143pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P8NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMesh. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 238 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK50Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 238 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK50ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID s (min): 1us. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 600V, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P9NK60Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1100pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 950 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 32A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 13 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammopak. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 94pF. Kosten): 17.6pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 135 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 1NK60ZR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermd, ESD verbeterde mogelijkheden. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Kanaaltype: N. Functie: 2xN-CH 60V. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Aantal per doos: 2

N-kanaaltransistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W10NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W10NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 800V, 9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: W10NK80Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 1000V. C(inch): 3500pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 560 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: extreem hoge dv/dt-mogelijkheden, schakeltoepassingen. Id(imp): 33.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W11NK100Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 98 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 1 kV, 8.3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: W11NK100Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 27 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 98 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.82 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 3000pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 584 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W11NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 76 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2620pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 635 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbeterde ESD-mogelijkheden. Id(imp): 42A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W12NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH™ power MOSFET-transistor beschermd door zenerdiode. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja