N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 3000pF. Kosten): 1170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 40A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 20N60S5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 120ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 55V, 80A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N06L11. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 68 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 158W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 33A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 11N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 51A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 17N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 77 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 650V, 20.7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20N60C3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.9V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 208W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV, 600V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.19 Ohms. Behuizing: PG-TO247 HV. Afvoerbronspanning (Vds): 600V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 20A. Vermogen: 208W

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 540pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1150pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 415 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 28A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 40V, 1mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P1. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 3850pF. Kosten): 650pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 120N4F6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: Schakelapplicaties, Automotive. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Binnendiameter (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. C(inch): 940pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 340 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 60 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 550V. C(inch): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: B12NM50ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (met snelle diode). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.115 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 470pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D10NF10. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Lage poortlading STRipFET™ II Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.53 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 540pF. Kosten): 44pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Id(imp): 32A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 10NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ). Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 790pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50mA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 75. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50mA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2000. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. Binnendiameter (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (max): 3A. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 310pF. Kosten): 49pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. Markering op de kast: D4NK50Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (max): 4A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.76 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 510pF. Kosten): 47pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Markering op de kast: D4NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Binnendiameter (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-3. Spanning Vds(max): 525V. C(inch): 545pF. Kosten): 45pF. Kanaaltype: N. Aantal kanalen: 1. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID s (min): 5uA. Markering op de kast: 5N52K3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: Schakeltoepassingen, poortlading geminimaliseerd, lage IDSS. Spec info: Enhancement type. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.25 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-3. Spanning Vds(max): 525V. C(inch): 529pF. Kosten): 71pF. Kanaaltype: N. Aantal kanalen: 1. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 5N52U. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 23.1 ns. Td(aan): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: Schakelapplicaties, Gate-lading geminimaliseerd. Spec info: Enhancement type. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.84 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 600V. Kosten): 24.6pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 213 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 7NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. C(inch): 363pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Spanning Vds(max): 500V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 460W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Elektrische isolatie: 2500V (AC-RMS). Td(aan): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Tf (type): 38 ns. Tr: 70 ns. Bedrijfstemperatuur: -65...150°C. Poort-/bronspanning Vgs: ±30V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja

N-kanaaltransistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 11NM60ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS