N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 690pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 485 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK60ZFP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Spec info: -55°C...+150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+ °C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 910pF. Kosten): 98pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 17.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 17.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C(inch): 910pF. Kosten): 98pF. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET

N-kanaaltransistor, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1810pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 73ms. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 240A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 60A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P60NF06L. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 35 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Binnendiameter (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Aan-weerstand Rds Aan: 12.5m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 33V. C(inch): 1330pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: volledig beschermd. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 248A. Markering op de kast: P62NS04Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

N-kanaaltransistor, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0115 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70us. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 240A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P65NF06. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, TO-220, TO-220, 600V, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C(inch): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W

N-kanaaltransistor, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 24A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-kanaaltransistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 23.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK90Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 23.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK90ZFP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0095 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 3700pF. Kosten): 730pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 132 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P75NF75. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 66 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 6.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMesh

N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 20.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P7NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: Zener-Protected. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 800V, 5.2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P7NK80Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1138pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . G-S-bescherming: ja. Id(imp): 20.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P7NK80ZFP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V

N-kanaaltransistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0065 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING APPLICATION. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P80NF06. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 80A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P80NF10. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 116 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 120V. C(inch): 4300pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P80NF12. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 134 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0065 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: motorbediening, audioversterker. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. Binnendiameter (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0098 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 68V. C(inch): 2550pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 392A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 80NF70. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. Binnendiameter (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 700V. C(inch): 2350pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 680 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 27A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1320pF. Kosten): 143pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 24.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P8NK80ZFP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMesh

N-kanaaltransistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 238 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 28.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P9NK50Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V