N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 590pF. Kosten): 63pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 12A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 4.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 500V, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P4NK50Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 310pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.76 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor

N-kanaaltransistor, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor

N-kanaaltransistor, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SuperMESH. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor

N-kanaaltransistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 3050pF. Kosten): 380pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 220A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P55NE06. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 30 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 75 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 200A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P55NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1700pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 220A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P55NF06L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40ms. Td(aan): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P5NK100Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1154pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 690pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 485 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+ °C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 910pF. Kosten): 98pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 1.9 Ohms, 2.7A, 4.3A, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V, TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV, 800V. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Behuizing: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Afvoerbronspanning (Vds): 800V. Kanaaltype: N. Id(imp): 17.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P5NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 4.3A. Vermogen: 110W. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1810pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 73ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 240A. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Kosten): 360pF. Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 60A, TO-220, TO-220, 60V, 1. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P60NF06L. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 35 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Spec info: lage poortlading, VGS(th) 1...2,5V

N-kanaaltransistor, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Binnendiameter (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Aan-weerstand Rds Aan: 12.5m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 33V. C(inch): 1330pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: volledig beschermd. Id(imp): 248A. Markering op de kast: P62NS04Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0115 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 70us. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 240A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P65NF06. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal per doos: 1. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P6NK90ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Zener-beschermde Power-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0095 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 3700pF. Kosten): 730pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 132 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(imp): 320A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P75NF75. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 66 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 6.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PowerMesh. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P7NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal per doos: 1. Spec info: Zener-Protected. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja