N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 870pF. Kosten): 50pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13N80K5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 42 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1000pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 18NM60. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 10A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: F3NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 36ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220FP, 1 kV, 3.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220FP. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F5NK100Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1154pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220FP. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 950 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 32A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: F9NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.63 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 452pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 324 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID s (min): 1mA. Markering op de kast: 9NM60N. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52.5 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 26A. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 610pF. Kosten): 65pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 50 ns. Functie: lichtdimmer, statisch relais, motordriver. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 100A. Markering op de kast: GF10NB60SD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 1.2 ns. Td(aan): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.35V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: Lage spanningsval (VCE(sat)). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 380pF. Kosten): 46pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35 ns. Functie: Hoogfrequente motorbesturingen. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 30A. Markering op de kast: GP10NC60KD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 17 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Kortsluiting is bestand tegen tijd 10us. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2200pF. Kosten): 225pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 44 ns. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 150A. Markering op de kast: GW20NC60VD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 31 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.75V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.75V. Functie: hoogfrequente omvormers, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 2510pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35 ns. Productiedatum: 201509. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 135A. Markering op de kast: GW30NC120HD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 275 ns. Td(aan): 29 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.75V. Poort-/emitterspanning VGE: 25V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.75V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.75V. Functie: hoge stroomcapaciteit, hoge ingangsimpedantie. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 4550pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Hoogfrequente werking tot 50 kHz. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 200A. Markering op de kast: GW40NC60V. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 43 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.75V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1350pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snelle MOSFET-transistor. Id(imp): 32A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: H8NA60FI. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Verbeteringsmodus . Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Viso 4000V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 150pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4NF20L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 10.4 ns. Td(aan): 2 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. Binnendiameter (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 80V. C(inch): 5955pF. Kosten): 244pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 38 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 400A. Markering op de kast: 100N8F6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 176W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 103 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK60ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK80Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Zenerdiode-bescherming. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK80ZFP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220FP, 800V, 9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220FP. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P10NK80ZFP. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 1250pF. Kosten): 210pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 42.8A. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Viso 2000VDC. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 400V, 9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P11NK40Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 930pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 11NM60ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS