N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 2510pF. Kosten): 175pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35 ns. Functie: hoge stroomcapaciteit, hoge ingangsimpedantie. Germaniumdiode: NINCS. Productiedatum: 201509. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 135A. Markering op de kast: GW30NC120HD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 275 ns. Td(aan): 29 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.75V. Poort-/emitterspanning VGE: 25V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.75V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.75V

N-kanaaltransistor, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 4550pF. Kosten): 350pF. CE-diode: NINCS. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Hoogfrequente werking tot 50 kHz. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 200A. Markering op de kast: GW40NC60V. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 43 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.75V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.75V

N-kanaaltransistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1350pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snelle MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 32A. ID s (min): 25uA. Let op: Viso 4000V. Markering op de kast: H8NA60FI. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Verbeteringsmodus . Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V

N-kanaaltransistor, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 150pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 4A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4NF20L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 10.4 ns. Td(aan): 2 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V

N-kanaaltransistor, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. Binnendiameter (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 80V. C(inch): 5955pF. Kosten): 244pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 38 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 400A. Markering op de kast: 100N8F6. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 176W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 103 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK60Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 18 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zener-Protected. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK60ZFP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zenerdiode-bescherming. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK80Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: beschermd met Zener -diode. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P10NK80ZFP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220FP, 800V, 9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220FP. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P10NK80ZFP. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 1250pF. Kosten): 210pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheidsschakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 42.8A. ID s (min): 1uA. Let op: Viso 2000VDC. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 400V, 9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P11NK40Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 930pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 11NM60ND. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 612 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 44A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: P11NM80. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 46 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 5200pF. Kosten): 785pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 152 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 440A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P120NF10. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 312W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 132 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 550V. C(inch): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P12NM50. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 550V. C(inch): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P12NM50FP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(aan): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Lage invoercapaciteit en poortlading. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 13NM60N. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 44A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 120V. C(inch): 460pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Lage invoerlading. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 56A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P14NF12. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zenerdiode-bescherming. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P14NK50ZFP. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.08 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 315pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden, lage poortlading. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 64A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: P16NF06. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 7 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.08 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 345pF. Kosten): 72pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 64A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Spec info: Low Gate Charge. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 5100pF. Kosten): 1270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelen, automobieltoepassingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 480A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 200N4F3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGHdv/dtCAP. Let op: Low Gate Charge. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: II Power Mos