N-kanaaltransistor, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V - STP4NB80

N-kanaaltransistor, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V - STP4NB80. N-kanaaltransistor, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 11:25.