N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, I-PAK, 60V, 14A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: I-PAK. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFU024NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 4.3A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 17A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET® Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. Binnendiameter (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 10A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 14 ns. Td(aan): 8.2 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. Binnendiameter (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 360pF. Kosten): 92pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor van de derde generatie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-251AA, 500V, 2.4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-251AA. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFU420PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 33 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-251AA, 200V, 24A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-251AA. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFU4620PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25.4 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1710pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 144W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 8A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: V-MOS. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 68A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 17A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFZ24NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 640pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZ24NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 700pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 57 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 100A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 31 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 30A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFZ34NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0175 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 63us. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 94W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 50A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFZ44NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1470pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 17.5m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 63 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 160A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 94W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 44 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZ44NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1470pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 94W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 16.5m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1812pF. Kosten): 393pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 60V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 55A. Vermogen: 115W

N-kanaaltransistor, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 16.5m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1696pF. Kosten): 407pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 107W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 16.5m Ohms. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1696pF. Kosten): 407pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 50V, 50A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFZ46NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1696pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1970pF. Kosten): 470pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 68 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 34 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-220AB, 55V, 64A, 0.014 Ohms, 55V. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 55V. Markering van de fabrikant: IRFZ48NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1970pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 64A. Vermogen: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220 ( AB ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Kanaaltype: N. Functie: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Collectorstroom: 23A. Ic(puls): 92A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 175 ns. Td(aan): 27 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.59V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS