N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 1000V. C(inch): 2800pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 630 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 24A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-247AC, 2 Ohms, 1000V. Behuizing: TO-247AC. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 1000V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 6.1A. Vermogen: 190W

N-kanaaltransistor, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. Behuizing: 17.4k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SUPER247. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 5579pF. Kosten): 810pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 144A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, 17.4k Ohms, 500V, 36A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 17.4k Ohms. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFPS37N50APBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5580pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 446W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 17A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR024N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 14A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR024N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 180pF. Kosten): 80pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 17A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFR110PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.9ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.027 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1300pF. Kosten): 410pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 65 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 107W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 47 ns. Td(aan): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+155°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 44A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR1205. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 107W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR1205N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 200V, 5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR220N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 43W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 3.1A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.8 Ohms. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 400V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET

N-kanaaltransistor, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2030pF. Kosten): 470pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 280A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 43 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.2m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2330pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Functie: Ultralage weerstand, ultralage poortimpedantie. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.115 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 640pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 60A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 37 ns. Td(aan): 6.4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 27A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 55V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 500V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 8A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 8A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 600V, 2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFRC20PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 500pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 137 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 6.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Power MOSFET. Functie: Lage poortlading (typisch 22nC), lage Crss

N-kanaaltransistor, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5.8A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 32A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Advanced Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 1000uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 1500pF. Kosten): 178pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 40A. ID s (min): 250uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS