Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 4.86€ | 5.88€ |
5 - 9 | 4.62€ | 5.59€ |
10 - 24 | 4.37€ | 5.29€ |
25 - 31 | 4.13€ | 5.00€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.86€ | 5.88€ |
5 - 9 | 4.62€ | 5.59€ |
10 - 24 | 4.37€ | 5.29€ |
25 - 31 | 4.13€ | 5.00€ |
N-kanaaltransistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V - IRG4BC30W. N-kanaaltransistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 980pF. Kosten): 71pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Functie: vermogens-MOSFET-transistor tot 150 kHz. Collectorstroom: 23A. Ic(puls): 92A. Markering op de kast: IRG 4BC30W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 99 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 09:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.