N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 500V, 14A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP450LCPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 500V, 14A, 180W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Behuizing (JEDEC-standaard): 180W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP450PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 92 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0048 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 10470pF. Kosten): 977pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 171A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 517W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 4200pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 80A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Behuizing: TO-247. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. RoHS: ja. C(inch): 3100pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 80A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. Kosten): 152pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 437ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 62A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 278W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 117 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: D Series Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(inch): 3940pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 3600pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: snel schakelen, ultra lage poortlading. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 500V, 20A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP460LCPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 280W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3600pF

N-kanaaltransistor, 500V, 20A, TOP-3 (TO-247), 500V. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Behuizing: TOP-3 (TO-247). Afvoerbronspanning (Vds): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP460PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 280W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 20A. Vermogen: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (max): 130A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 520A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 520W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (max): 72A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Power-MOSFET. Id(imp): 300A. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5.5V. Let op: Hoge frequentie. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-247AC, 100V, 72A, 0.014 Ohms, 100V. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 100V. Markering van de fabrikant: IRFP4710PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 35 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 72A. Vermogen: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1070pF. Kosten): 6040pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 380A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 580W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 200V, 94A, 580W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Behuizing (JEDEC-standaard): 580W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP90N20DPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 640pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 580W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 2700pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 88 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.58 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 2100pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. ID s (min): 25uA-. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 33 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 600V, 11A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFPC50PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 88 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 3900pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1900pF. Kosten): 470pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 22A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: snel schakelen, ORION TV. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 800V, 5.4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFPE40PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 3100pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 31A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1.2 Ohms, TO-247AC HV, 800V. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-247AC HV. Afvoerbronspanning (Vds): 800V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 7.8A. Vermogen: 190W

N-kanaaltransistor, 4.7A, 4.7A, TO-247, TO-247AC, 900V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 4.7A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 900V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: <63/214ns. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS L

N-kanaaltransistor, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.7A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.6 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2900pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 27A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 900V, 6.7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFPF50PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C