N-kanaaltransistor, 9.2A, 13A, 150uA, SO, SO-8, 30 v, 0.008 Ohms - IRF7413Z

N-kanaaltransistor, 9.2A, 13A, 150uA, SO, SO-8, 30 v, 0.008 Ohms - IRF7413Z. N-kanaaltransistor, 9.2A, 13A, 150uA, SO, SO-8, 30 v, 0.008 Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 150uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. C(inch): 1210pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra-lage poortimpedantie. Id(imp): 100A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11 ns. Td(aan): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 95. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 14:25.