N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 9.2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF520PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 670pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 56A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 88W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 920pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 93 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 60A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 9.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 17A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF530NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 920pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 100V, TO220AB. Vdss (afvoer naar bronspanning): 100V. Behuizing: TO220AB. Polariteit: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 14A. Spanning: 10V. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Montagetype: THT

N-kanaaltransistor, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.077 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1700pF. Kosten): 560pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: 1.3k Ohms. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 110A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 53 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1960pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 115 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 110A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, TO220AB, 100V. Behuizing: TO220AB. Vdss (afvoer naar bronspanning): 100V. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montagetype: THT. Polariteit: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 33A. Spanning: 10V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 33A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF540N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1960pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 110A. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRF540NSPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F540NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1960pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F540NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1960pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 28A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF540PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W

N-kanaaltransistor, 25A, 36A, 250uA, 21 milliOhms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 21 milliOhms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1770pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra lage aan-weerstand, <0,021 ohm. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 140A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 92W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 10A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 14 ns. Td(aan): 8.2 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 3.3A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: VGS @10V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 200V, 3.3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF610PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 140pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 260pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 18A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 200V, 5.2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF620PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 260pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 200V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. RoHS: ja. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(inch): 540pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge stroom schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 200V, 9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF630N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 27 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 575pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 74W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 200V, 9A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF630PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 74W

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 32A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 4.2 ns. Td(aan): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (max): 8.1A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.348 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 72A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 4 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V