N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 4.2 ns. Td(aan): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (max): 8.1A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.348 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 4 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1160pF. Kosten): 185pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 167 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Behuizing (JEDEC-standaard): 150W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF640NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F640NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 0.18 Ohms, TO-220, 200V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 200V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 18A. Vermogen: 125W

N-kanaaltransistor, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 1300pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 56A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 53 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 5.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Technologie: DirectFET POWER MOSFET. Aantal per doos: 1. Let op: isometrisch

N-kanaaltransistor, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 170pF. Kosten): 34pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 6A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 20V, 3.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7101. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 320pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3A, SO, SO-8, 50V. ID (T=25°C): 3A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 50V. Kanaaltype: N. Functie: 2xN-CH 50V. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 50V, 3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7103. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, TO-220AB, 400V, 2A, 3.6 Ohms, 400V. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 400V. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF710PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 170pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 2A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 7.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7201. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 550pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 400V, 3.3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF720PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 410pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 700pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 22A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 20V, 4.1A/4.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7301. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 660pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (max): 25uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: 0.05R. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Aantal per doos: 2

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 4.9A/4.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7303. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 520pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7309. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22/25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 520/440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 400V, 5.5A, 75W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Behuizing (JEDEC-standaard): 75W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF730PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 38 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 74W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 2

N-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Functie: N MOSFET-transistor. Equivalenten: IRF7313PBF. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 2

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7313. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C