N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.029 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 4830pF. Kosten): 945pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 340 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 248A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 298W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 245 ns. Td(aan): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 2500pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 280A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. RoHS: ja. Spec info: Lage poortlading (typisch 85nC). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: DMOS-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.12 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 36A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: FQA9N90C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Gewicht: 4.7g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 0.91 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V, 4.4A, 7A, 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.91 Ohms. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Spanning Vds(max): 900V. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 100uA. RoHS: ja. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(inch): 2530pF. Kosten): 215pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, Low Gate Charge. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 28A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3

N-kanaaltransistor, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.074 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 670pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 62.4A. ID s (min): 1uA. Equivalenten: FQD19N10LTM. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.031 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 96A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 30N06L. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 44W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.258 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 220pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Lage poortlading. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 5.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FQD7N10L. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 17 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, TO-220, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.53 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(inch): 1760pF. Kosten): 182pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FQP12N60C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225W

N-kanaaltransistor, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.142 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 72 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 51.2A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.33 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1800pF. Kosten): 245pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelsnelheid. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 52A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 195W. RoHS: ja. Spec info: Lage poortlading (typisch 43nC). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.078 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 600pF. Kosten): 165pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 78 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 76A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 19A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.14 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelend, td(aan)15ns, td(uit)135ns. Id(imp): 76A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 139W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET)

N-kanaaltransistor, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1150pF. Kosten): 320pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, Low Gate Charge. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 132A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 127W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1400pF. Kosten): 425pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 98 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, Low Gate Charge. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 174A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 146W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.033 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 2500pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 182A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 210W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 210 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 35.4A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1180pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 200A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220, 60V, 52.4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQP50N06L. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 50 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1630pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 121W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 515pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 15nC, lage Crss 6,5pF. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 18A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: verbeteringsmodus vermogensveldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1420pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 26.4A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.57 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 27nC, lage Crss 10pF. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 26.4A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 3170pF. Kosten): 1150pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 300A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 175 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.12 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 900V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 45nC, lage Crss 14pF. Id(imp): 32A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 205W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: DMOS, QFET

N-kanaaltransistor, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 9.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.36 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 20nC, lage Crss 40,5pF. Id(imp): 38A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: DMOS, QFET

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1515pF. Kosten): 185pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 43nC, lage Crss 20pF. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 44A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V