N-kanaaltransistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322

N-kanaaltransistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. N-kanaaltransistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P( GCE ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Functie: Huidige resonantie-omvormerschakeling . Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 100A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 400 ns. Td(aan): 30 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Origineel product van fabrikant Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 13:25.