N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 8.2A, 8.2A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.2A. Idss (max): 8.2A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. RoHS: ja. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 2. Type transistor: MOSFET. Functie: 6.9A, Rds-on 0.027 Ohms (Q1). Aantal aansluitingen: 8:1. Spec info: 8.2A, Rds-on 0.022 Ohms (Q2). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Dubbele N-kanaal MOSFET-transistor 'PowerTrench - SyncFET'

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 6A/6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: FDS6912. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 740pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 19m Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 475pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 5 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V

N-kanaaltransistor, 5.4A, SO, SO-8. Binnendiameter (T=100°C): 5.4A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 2. Trr-diode (min.): 15 ns. Functie: Rds-on 0.030 Ohms. G-S-bescherming: NINCS. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

N-kanaaltransistor, 25V, SOT23. Vdss (afvoer naar bronspanning): 25V. Behuizing: SOT23. Polariteit: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 0.22A. RDS ON (MAX) @ ID, VGS: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. Poort-/bronspanning Vgs max: 8V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Montagetype: SMD

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 25V, 0.68A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 303. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. C(inch): 2915pF. Kosten): 270pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 47ms. Functie: Zonne-omvormer, UPS, Lasstation, PFC, Telecom, ESS. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 104 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Field Stop IGBT . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V

N-kanaaltransistor, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2-PAK. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 940pF. Kosten): 110pF. CE-diode: NINCS. Kanaaltype: N. Functie: omvormer voor zonne-energie, UPS, lasapparaat, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 60A. Let op: N-kanaal MOS IGBT-transistor. Markering op de kast: FGB20N60SF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 90 ns. Td(aan): 12 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanaaltransistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2110pF. Kosten): 200pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Markering op de kast: FGH40N60SFD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 115 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanaaltransistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1880pF. Kosten): 180pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 70 ns. Functie: Zonne-omvormer, UPS, Lasstation, PFC, Telecom, ESS. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 349W. RoHS: ja. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 92 ns. Td(aan): 12 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V

N-kanaaltransistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2110pF. Kosten): 200pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 112 ns. Td(aan): 24 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanaaltransistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2820pF. Kosten): 350pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 47 ns. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Markering op de kast: FGH60N60SFD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 378W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 134 ns. Td(aan): 22 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanaaltransistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2820pF. Kosten): 350pF. CE-diode: NINCS. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Markering op de kast: FGH60N60SF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 378W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 134 ns. Td(aan): 22 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanaaltransistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2915pF. Kosten): 270pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 30 ns. Functie: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Markering op de kast: FGH60N60SMD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 18 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V

N-kanaaltransistor, 25A, Ander, Ander, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 1.45pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Functie: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 39A. Ic(puls): 50A. Let op: 7x IGBT+ CE Diode. Aantal aansluitingen: 33dB. Afmetingen: 56.7x48x12mm. Pd (vermogensdissipatie, max.): 175W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.46 ns. Td(aan): 0.08 ns. Technologie: IGBT hybride module. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.25V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.2V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V

N-kanaaltransistor, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.93 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2150pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 730 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: FQA10N80C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 240W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-3PN, 900V, 11A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQA11N90C. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 130 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-3PN, 900V, 11A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQA11N90C_F109. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 130 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-3PN, 900V, 11.4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FQA 11N90. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 140 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 340 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.43 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 43nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 60A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 218W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: DMOS-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 800V. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12.6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.58 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 155 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(inch): 2700pF. Kosten): 275pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 850 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50.4A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W

N-kanaaltransistor, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 2800pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 74A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.156 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 3500pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 90nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 96A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 80 ns. Technologie: DMOS-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 4200pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 90nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 94A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 90 ns. Technologie: DMOS-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.067 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 1250pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 40nC). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 132A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 227W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: DMOS-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V