N-kanaaltransistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C

N-kanaaltransistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C. N-kanaaltransistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.57 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1290pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 26.4A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 56W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Lage poortlading (typisch 40nC), Lage Crss 10pF. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 01:25.