N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109

N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109. N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.12 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: FQA9N90C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Gewicht: 4.7g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 22:25.