N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.31 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1495pF. Kosten): 235pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 490 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FDA16N50. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 205W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Lage poortlading. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 2280pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: FDA24N40F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 235W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-3P, 500V, 48A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3P. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FDA50N50. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 220 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 460 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6460pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.041 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 3090pF. Kosten): 630pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 392W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.034 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 3570pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 480W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0087 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 100A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SUPERSOT-6. Afvoerbronspanning Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FDD5690. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1110pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0088 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 25 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 59A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 1400pF. Kosten): 317pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Markering op de kast: FDD6635. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 8.2M Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 5070pF. Kosten): 550pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 100A. Let op: Logische niveau-gated transistor. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 69 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. Binnendiameter (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 61m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 575pF. Kosten): 64pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56.4 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Let op: High performance trench technology. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 56.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15.8 ns. Td(aan): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extreem lage RDS(aan)-weerstand. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.085 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 22 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: FDD8447L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 44W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 38 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Snel schakelen, omvormers, voedingen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 880pF. Kosten): 195pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 23 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 39 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-3. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer en UPS-omvormers. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 500V, 45A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FDH45N50F. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 140 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 215 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6630pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Behuizing: SMD. Behuizing (volgens datablad): Power-56-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: dubbele N-kanaal MOSFET-transistor, 30V, PowerTrench-MOSFET . Aantal per doos: 2. Functie: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)

N-kanaaltransistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2200pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 72A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 235W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 56A, 79A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Binnendiameter (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. Afvoerbronspanning (Vds): 150V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 79A. Vermogen: 310W. Functie: DC/DC-spanningsomvormer en UPS-omvormers. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 64 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer en UPS-omvormers. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 2880pF. Kosten): 3990pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 62 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer en UPS-omvormers. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.46 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 945pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 46A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Lage poortlading (typisch 23nC), lage Crss 14pF. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.15 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 480pF. Kosten): 66pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Lage poortlading (typisch 11nC), lage Crss 5pF. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 720pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 20A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Lage poortlading (typisch 12nC), lage Crss 9pF. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 13A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: FDS6670A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2220pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C