P-kanaaltransistor, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF9Z24NPBF

P-kanaaltransistor, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF9Z24NPBF. P-kanaaltransistor, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 8.5A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 14:25.