FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, SO, SO-8, 30 v. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Functie: Dual P-kanaal MOSFET PowerTrench 30V. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal per doos: 2. Technologie: P-kanaal. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

P-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Kanaaltype: P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal per doos: 2. Technologie: P-kanaal. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -30V, -11A, 1, SO, SO-8, 30 v. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2470pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Markering van de fabrikant: Uitgebreid VGS-bereik (-25V) voor toepassingen op batterijen. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 120ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

P-kanaaltransistor, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 1uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2890pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. Binnendiameter (T=100°C): n/a. ID s (min): n/a. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 210 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -30V, -5.3A, 1, SO, SO-8, 30 v. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: FDS9435A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 528pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Td(aan): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

P-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Kanaaltype: P. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal per doos: 2. Spec info: 0.075 Ohms

P-kanaaltransistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (max): 10uA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 25V. C(inch): 63pF. Kosten): 34pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): opbouwcomponent (SMD). Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.5A. Binnendiameter (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 304. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Bedieningspoortspanning zo laag als 2,5 V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 100uA. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 2550pF. Kosten): 710pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 198 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 144A. Binnendiameter (T=100°C): 25.5A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 294W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.076 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 155 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Lage poortlading (typisch 81nC). G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 10uA. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1100pF. Kosten): 510pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 102A. Binnendiameter (T=100°C): 19.1A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 10uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.71A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (max): 10uA. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 420pF. Kosten): 195pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 83 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. Binnendiameter (T=100°C): 5.95A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264 ( 2-21F1C ). Collector-emitterspanning Vceo: 250V. C(inch): 1450pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: P. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 60A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: P-kanaal MOS IGBT-transistor. Spec info: audio-versterker. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

P-kanaaltransistor, 74A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 74A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3400pF. Kosten): 1400pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 89 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 260A. Binnendiameter (T=100°C): 52A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 61 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -55V, -74A, 200W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Behuizing (JEDEC-standaard): 200W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF4905. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 61 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F4905S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 61 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F4905S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 2700pF. Kosten): 790pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 29A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 79 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 40A, TO-220AB, -100V. Maximale afvoerstroom: 40A. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): -100V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms

P-kanaaltransistor, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 2860pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID s (min): 50uA. Markering op de kast: F5210S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.8W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 72 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -40A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F5210S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 79 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1200pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 71 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 31A, TO-220AB, -55V. Maximale afvoerstroom: 31A. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): -55V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Vermogen: 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F5305S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F5305S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 150V. C(inch): 860pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 160 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 9A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 53 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS