KSA733-Y
| Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.48€ |
| 25 - 49 | 0.38€ | 0.46€ |
| 50 - 99 | 0.36€ | 0.44€ |
| 100 - 249 | 0.35€ | 0.42€ |
| 250 - 499 | 0.34€ | 0.41€ |
| 500+ | 0.33€ | 0.40€ |
| Hoeveelheid | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.48€ |
| 25 - 49 | 0.38€ | 0.46€ |
| 50 - 99 | 0.36€ | 0.44€ |
| 100 - 249 | 0.35€ | 0.42€ |
| 250 - 499 | 0.34€ | 0.41€ |
| 500+ | 0.33€ | 0.40€ |
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
KSA733-Y. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Collectorstroom: 0.15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 18:25.
Gelijkwaardige producten :
BC212B
Behuizing: TO-92. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -50V. C(inch): -0.1A. Kosten): 1W. Darl...
Behuizing: TO-92. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -50V. C(inch): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS
Behuizing: TO-92. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -50V. C(inch): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS
2SA733
Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximal...
Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.1A. Ic(puls): 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V
Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.1A. Ic(puls): 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.