IRFR1205

IRFR1205. C(inch): 1300pF. Kosten): 410pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 65 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 107W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.027 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 47 ns. Td(aan): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+155°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 08:25.