Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP3415PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 72 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 2600pF. Kosten): 660pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 87 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET-vermogens-MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP350PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 87 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 4500pF. Kosten): 1100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3400pF. Kosten): 540pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 42 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Markering van de fabrikant: IRFP360PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 280W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 23A. Vermogen: 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: TO-247AC HV. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afvoerbronspanning (Vds): 400V

C(inch): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: FastSwitch. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 51A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP3710PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Behuizing (JEDEC-standaard): 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. Binnendiameter (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.021 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Gewicht: 5.8g. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 7370pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 430W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.049 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 300V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5860pF. Kosten): 530pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. Id(imp): 230A. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.029 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP4468PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 52 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 160 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 19860pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 520W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 2600pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 540 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 56A. Binnendiameter (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 92us. Td(aan): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2200pF. Kosten): 320pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 580us. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. Binnendiameter (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP450LCPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP450PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 92 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Behuizing (JEDEC-standaard): 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 10470pF. Kosten): 977pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 171A. Binnendiameter (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 517W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0048 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 150V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4200pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: TO-247. C(inch): 3100pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kosten): 152pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 437ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 62A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 278W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 117 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: D Series Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(inch): 3940pF. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3600pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: snel schakelen, ultra lage poortlading. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP460LCPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 280W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3600pF

Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP460PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 280W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 20A. Vermogen: 250W. Behuizing: TOP-3 (TO-247). Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afvoerbronspanning (Vds): 500V