Transistoren

C(inch): 5600pF. Kosten): 1310pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0042 Ohms. RoHS: ja. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Vermogen: 310W. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: PowerMOSFET. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 31A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 131W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.51 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 100V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: PowerMOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2800pF. Kosten): 1100pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: IRFP150. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 140A. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.36 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP150NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP150PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 3450pF. Kosten): 513pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 277W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.6g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: complementaire transistor (paar) IRFP9240. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-247AC. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP240PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 20A. Vermogen: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afvoerbronspanning (Vds): 200V

C(inch): 2159pF. Kosten): 315pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 186 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-247AC. Markering van de fabrikant: IRFP250NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2159pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 214W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 30A. Vermogen: 214W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 200V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP250PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP254PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 74 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 4057pF. Kosten): 603pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 268 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen. Id(imp): 200A. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 5.57g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP260NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 17 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4057pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Behuizing (JEDEC-standaard): 280W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP260PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 280W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 5400pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: snel schakelen, dynamische dv/dt. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4660pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 500W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 13000pF. Kosten): 2100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. Binnendiameter (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 470W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 75V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP2907PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 13000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 470W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP2907ZPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 97 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 310W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 1080A. Binnendiameter (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1M Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 4.58g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 118 ns. Td(aan): 16 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5000pF. Kosten): 553pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 124A. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 2mA. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 460W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Id(imp): 840A. Binnendiameter (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS