IRFPE50

IRFPE50. C(inch): 3100pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 31A. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 07:25.