IRFP4229PBF

IRFP4229PBF. C(inch): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1mA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Gewicht: 5.8g. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 10:25.