IRFP27N60KPBF

IRFP27N60KPBF. C(inch): 4660pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 500W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.