IRFL9110

IRFL9110. C(inch): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.69A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 13:25.