IRFD9110

IRFD9110. C(inch): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 82 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 5.6A. Binnendiameter (T=100°C): 0.49A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 13:25.