IRF7413

IRF7413. C(inch): 1600pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 74 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 58A. Binnendiameter (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 12uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 22:25.