N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730

N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730. N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 700pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 22A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 03:25.