FQA19N60

FQA19N60. C(inch): 2800pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. Binnendiameter (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 22:25.