N-kanaaltransistor, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - FQA19N60

N-kanaaltransistor, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - FQA19N60. N-kanaaltransistor, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 2800pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 04:25.